研究人員使用太赫茲輻射分析由鐿、銠、硅組成的材料。圖源：物理學家組織網(wǎng)

美國和奧地利科學家在最新一期《科學》雜志刊文稱，他們在量子臨界材料內(nèi)觀察到數(shù)十億個流動電子之間的量子糾纏，這是糾纏導致量子臨界性迄今最有力的直接證據(jù)，有望促進量子信息和超導技術(shù)的發(fā)展。

據(jù)物理學家組織網(wǎng)16日報道，在最新研究中，科學家們檢查了由鐿、銠、硅組成的材料YbRh2Si2在接近并越過兩個量子相臨界點時的電磁行為，發(fā)現(xiàn)了該金屬內(nèi)數(shù)十億個流動電子間的量子糾纏。研究合作者、萊斯大學的斯其苗說，這是糾纏導致量子臨界性迄今最有力的直接證據(jù)。

為制造超純YbRh2Si2薄膜，維也納工業(yè)大學研究人員開發(fā)出一種極復雜的材料合成技術(shù)。在接近絕對零度時，該材料能發(fā)生相變，從形成磁序的量子相“變身”為不形成磁序的量子相。隨后，萊斯大學的李新偉(音譯)在零下271.75攝氏度附近對薄膜展開太赫茲光譜實驗，揭示了當YbRh2Si2薄膜冷卻到一個量子臨界點時的導光性。

斯其苗說：“在量子臨界點，傳統(tǒng)觀點認為，只有自旋部分才是臨界點。但如果電荷部分和自旋部分發(fā)生量子糾纏，那么電荷部分也變得至關(guān)重要。在最新研究中，我們在磁量子臨界點探測到電荷部分，發(fā)現(xiàn)了導致量子臨界性的量子糾纏非常直接的新證據(jù)。”

斯其苗是萊斯大學量子材料中心主任，他指出，量子糾纏是存儲和處理量子信息的基礎。同時，科學家認為，量子臨界性可以導致高溫超導性。因此，最新研究可為量子信息和高溫超導技術(shù)提供平臺，促進這兩大技術(shù)的發(fā)展，為計算、通信等領(lǐng)域的新技術(shù)打開大門。

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