真空蒸鍍原理是什么?

蒸鍍的物理過程包括：沉積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)粒子→氣態(tài)粒子快速從蒸發(fā)源向基片表面輸送→氣態(tài)粒子附著在基片表面形核、長大成固體薄膜→薄膜原子重構或產(chǎn)生化學鍵合。

將基片放入真空室內(nèi)，以電阻、電子束、激光等方法加熱膜料，使膜料蒸發(fā)或升華，氣化為具有一定能量(0.1～0.3eV)的粒子(原子、分子或原子團)。氣態(tài)粒子以基本無碰撞的直線運動飛速傳送至基片，到達基片表面的粒子一部分被反射，另一部分吸附在基片上并發(fā)生表面擴散，沉積原子之間產(chǎn)生二維碰撞，形成簇團，有的可能在表面短時停留后又蒸發(fā)。粒子簇團不斷地與擴散粒子相碰撞，或吸附單粒子，或放出單粒子。此過程反復進行，當聚集的粒子數(shù)超過某一臨界值時就變?yōu)榉€(wěn)定的核，再繼續(xù)吸附擴散粒子而逐步長大，最終通過相鄰穩(wěn)定核的接觸、合并，形成連續(xù)薄膜。

真空蒸鍍加熱方式有哪些?

(1)電阻加熱：電阻加熱源是普遍使用的蒸發(fā)源，它結構簡單、操作方便。典型的導電加熱體材料有鎢、鉭、鉬和碳等。導電加熱體的電阻加熱通常采用低電壓(<10 V)、大電流(幾百安培)加熱方式。可根據(jù)蒸發(fā)材料的性質(zhì)以及蒸發(fā)源材料的浸潤性加以選用。

(2)電子束加熱：電子束加熱法的基本原理是基于由熱陰極發(fā)射的電子在電場作用下，獲得動能轟擊到作為陽極的蒸發(fā)材料上，將其動能轉(zhuǎn)化為加熱材料的內(nèi)能而使材料蒸發(fā)。由于聚集電子束的能量密度大，可使材料表面局部區(qū)域達到3 000℃～4 000℃的高溫，適于蒸發(fā)高熔點金屬、化合物材料和要求高蒸發(fā)速率的場合。

(3)射頻感應加熱：感應加熱是將射頻電源的能量直接耦合到金屬、石墨一類的導體上，其原理是利用高頻電磁場在導體材料中感生的熱量來直接加熱導體本身。

(4)電弧加熱：電弧蒸鍍利用高真空中兩導電材料制成的電極之間形成電弧放電產(chǎn)生的高溫，使電極材料蒸發(fā)而在基體上凝聚成膜。

(5)激光加熱：脈沖激光加熱表面可實現(xiàn)材料的瞬時蒸發(fā)，脈沖激光作為一種新的加熱源，其特點之一是能量在時間和空間上高度集中，與常規(guī)的熱蒸發(fā)有顯著區(qū)別。

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