第五版圖形用雙倍數據傳輸率存儲器是一種高性能顯卡使用的同步動態(tài)隨機存取存儲器，專為高帶寬需求計算機應用所設計。由AMD、SK Hynix、三星電子、NVIDIA、JEDEC等聯合制定，取代GDDR3以及GDDR4顯示存儲器。GDDR5和GDDR4一樣基于DDR3 SDRAM改造而來，基本存儲器架構和DDR3相若，存儲器預取也是相同的8n設置。所謂的“預取”，及存儲器芯片內部的存儲器數組傳輸率與輸出/輸入(I/O)訪問傳輸率的比值，“8n”代表I/O緩沖器一次讀取存儲器數組中8位的數據，提升存儲器外部的傳輸速度。

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GDDR5為了增大帶寬并降低延時，避免出現GDDR4那樣高帶寬但高延時的情況，與DDR3相比，GDDR5顯示存儲器使用了DQ并行雙數據總線，相當于提供了在GDDR3的基礎上多加了一條通道，而GDDR3顯示存儲器、DDR3存儲器卻只有一條通道;另外，GDDR5采用時鐘頻率分離的設計，地址與命令總線采用其中一組時鐘頻率信號，而數據總線則采用另外獨立的一組，且為地址與命令總線時鐘頻率的兩倍。所以GDDR5的理論速度可達DDR3的四倍、GDDR3/GDDR4的兩倍，5GT/s以上的高傳輸率(亦即坊間所謂的5GHz高頻)變成可能，通過高頻率有可能使一款128bit的顯卡性能超過DDR3的256bit顯卡。。相比GDDR3或GDDR4顯示存儲器而言工作電壓從1.8V降為電壓僅有1.5V，還具有新電源管理技術，功耗更低。且GDDR3使用的為80nm制程，而GDDR5為55nm，制程的提高使芯片的體積縮小，發(fā)熱量也可以低許多。

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