(資料圖片)
176層的長江存儲NAND顆粒,單根4T。
梵想(FANXIANG)4TB SSD固態(tài)硬盤 M.2接口PCIe 4.0 x4長江存儲晶圓 國產(chǎn)TLC顆粒 PS5臺式機筆記本S790
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梵想S790的最大亮點莫過于搭載了長江存儲最新的232層3D TLC NAND閃存顆粒,基于最新一代Xtacking 3.0晶棧架構(gòu)打造,與Xtacking 2.0相比,將閃存堆疊上限從主流128層躍升至全行業(yè)領(lǐng)先的232層,成為目前市場上量產(chǎn)堆疊層數(shù)最高的顆粒,遠(yuǎn)超三星、SK海力士、美光等一線巨頭,并帶來了更簡單的工藝和更低廉的成本。得益于采用創(chuàng)新“6-plane”設(shè)計,相比“4-plane”架構(gòu),Xtacking 3.0閃存顆粒的IO性能提升了50%,而功耗則降低了25%,閃存接口的傳輸帶寬從過去的1600MT/s提速至2400MT/s,具備更低的讀取延遲表現(xiàn)、更快的隨機訪問速度、以及更高的數(shù)據(jù)傳輸準(zhǔn)確性。
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