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176層的長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND顆粒,單根4T。
梵想(FANXIANG)4TB SSD固態(tài)硬盤 M.2接口PCIe 4.0 x4長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶圓 國(guó)產(chǎn)TLC顆粒 PS5臺(tái)式機(jī)筆記本S790
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梵想S790的最大亮點(diǎn)莫過(guò)于搭載了長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新的232層3D TLC NAND閃存顆粒,基于最新一代Xtacking 3.0晶棧架構(gòu)打造,與Xtacking 2.0相比,將閃存堆疊上限從主流128層躍升至全行業(yè)領(lǐng)先的232層,成為目前市場(chǎng)上量產(chǎn)堆疊層數(shù)最高的顆粒,遠(yuǎn)超三星、SK海力士、美光等一線巨頭,并帶來(lái)了更簡(jiǎn)單的工藝和更低廉的成本。得益于采用創(chuàng)新“6-plane”設(shè)計(jì),相比“4-plane”架構(gòu),Xtacking 3.0閃存顆粒的IO性能提升了50%,而功耗則降低了25%,閃存接口的傳輸帶寬從過(guò)去的1600MT/s提速至2400MT/s,具備更低的讀取延遲表現(xiàn)、更快的隨機(jī)訪問(wèn)速度、以及更高的數(shù)據(jù)傳輸準(zhǔn)確性。
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